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結晶タイプ：　４Ｈ−ＳｉＣ　|　導電型・ドーパント：　Ｎタイプ、窒素　|　グレード：ダミーグレード　|　直径：　１５０．０ｍｍ±　０．２ｍｍ　（６イン…

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ＳＥＭＩＴＥＣ 単結晶ＳｉＣウェハ　６インチ・４Ｈ−Ｎ（ダミーグレード） 【A0CH-2426】
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商品説明

商品仕様
結晶タイプ
　４Ｈ−ＳｉＣ
導電型・ドーパント
　Ｎタイプ、窒素
グレード
ダミーグレード
直径
　１５０．０ｍｍ±　０．２ｍｍ　（６インチ）
厚さ
　３５０　μｍ±２５　μｍ
オフ角度
　［１１−２０］に対して４°±０．５°
マイクロパイプ密度（ＭＰＤ）
　２　個・ｃｍ２　以下
比抵抗値
　０．０１５ー０．０２８Ω−ｃｍ
オリフラ
　・・　［１１−２０］　±　５．０°、長さ４７．５　ｍｍ　±　２．０　ｍｍ
エッジ除外領域（ＥＥ）
　ウェハ端から３ｍｍ
反り
　ＬＴＶ？５μｍ、ＴＴＶ？１５　μｍ、ＢＯＷ？４０μｍ、ＷＡＲＰ？６０　μｍ
表面仕上げ
　両面ＣＭＰ、Ｓｉ面Ｅｐｉ−ｒｅａｄｙ　（Ｓｉ面Ｒａ？０．２　ｎｍ、Ｃ面Ｒａ？０．５　ｎｍ）
エッジクラック
　Ｎ・Ａ
結晶多形
　累積面積？５％
エッジチッピング
　２　個以下、各々１ｍｍ　以内
ＸＲＤ半値幅
　？６０　ａ
単位
１枚

メーカー情報
メーカー名
ＳＥＭＩＴＥＣ
メーカー品番
６８−４０８８−７３

カタログ掲載ページ

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単結晶ＳｉＣウェハ　６インチ・４Ｈ−Ｎ（

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