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ＦＥＴタイプ：２Ｎチャンネル（デュアル）　|　ＦＥＴ機能：論理レベルゲート　|　ドレインーソース間電圧（Ｖｄｓｓ）：６０Ｖ　|　電流−２５℃での連続ド…

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ＶＩＳＨＡＹ ＭＯＳＦＥＴ　２Ｎ−ＣＨ　６０Ｖ　３．７Ａ　８ＳＯＩＣ　ＳＩ９９４５ＡＥＹ−Ｔ１−Ｅ３ 【A0CP-6814】
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ＭＯＳＦＥＴ　ＳＩ９９４５ＡＥＹ−Ｔ１−Ｅ３　ＶＩＳＨＡＹ製を販売します。

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更新日:2026/07/04

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商品説明

商品の特徴

ＭＯＳＦＥＴ　ＳＩ９９４５ＡＥＹ−Ｔ１−Ｅ３　ＶＩＳＨＡＹ製を販売します。

商品仕様
ＦＥＴタイプ
２Ｎチャンネル（デュアル）
ＦＥＴ機能
論理レベルゲート
ドレインーソース間電圧（Ｖｄｓｓ）
６０Ｖ
電流−２５℃での連続ドレイン（Ｉｄ）
３．７Ａ
Ｉｄ、Ｖｇｓ印加時のＲｄｓ　Ｏｎ（最大）
８０ミリオーム　＠　３．７Ａ、１０Ｖ
Ｉｄ印加時のＶｇｓ（ｔｈ）（最大）
３Ｖ　＠　２５０μＡ
Ｖｇｓ印加時のゲート電荷（Ｑｇ）（最大）
２０ｎＣ　＠　１０Ｖ
電力−最大
２．４Ｗ
動作温度
−５５℃ー１７５℃（ＴＪ）
実装タイプ
面実装
パッケージ・ケース
８−ＳＯＩＣ（０．１５４インチ、３．９０ｍｍ幅）
単位
１個

メーカー情報
メーカー名
ＶＩＳＨＡＹ
メーカー品番
ＳＩ９９４５ＡＥＹ−Ｔ１−Ｅ３

カタログ掲載ページ

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ＭＯＳＦＥＴ　２Ｎ−ＣＨ　６０Ｖ　３．７

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