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ＶＩＳＨＡＹ ＭＯＳＦＥＴ　Ｐ−ＣＨ　２０Ｖ　７．５Ａ　１２１２−８　ＳＩ７４１１ＤＮ−Ｔ１−ＧＥ３ 【A0CP-7910】
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ＭＯＳＦＥＴ　ＳＩ７４１１ＤＮ−Ｔ１−ＧＥ３　ＶｉｓｈａｙＳｉｌｉｃｏｎｉｘ製を販売します。

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更新日:2026/07/04

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商品説明

商品の特徴

ＭＯＳＦＥＴ　ＳＩ７４１１ＤＮ−Ｔ１−ＧＥ３　ＶｉｓｈａｙＳｉｌｉｃｏｎｉｘ製を販売します。

商品仕様
ＦＥＴタイプ
Ｐチャンネル
技術
ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物）
ドレインーソース間電圧（Ｖｄｓｓ）
２０Ｖ
電流−２５℃での連続ドレイン（Ｉｄ）
７．５Ａ（Ｔａ）
駆動電圧（最大Ｒｄｓオン、最小Ｒｄｓオン）
１．８Ｖ、４．５Ｖ
Ｉｄ、Ｖｇｓ印加時のＲｄｓ　Ｏｎ（最大）
１９ミリオーム　＠　１１．４Ａ、４．５Ｖ
Ｉｄ印加時のＶｇｓ（ｔｈ）（最大）
１Ｖ　＠　３００μＡ
Ｖｇｓ印加時のゲート電荷（Ｑｇ）（最大）
４１ｎＣ　＠　４．５Ｖ
Ｖｇｓ（最大）
±８Ｖ
消費電力（最大）
１．５Ｗ（Ｔａ）
動作温度
−５５℃ー１５０℃（ＴＪ）
実装タイプ
面実装
単位
１個

メーカー情報
メーカー名
ＶＩＳＨＡＹ
メーカー品番
ＳＩ７４１１ＤＮ−Ｔ１−ＧＥ３

カタログ掲載ページ

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ＭＯＳＦＥＴ　Ｐ−ＣＨ　２０Ｖ　７．５Ａ

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