アズワン 30mm×30mm Si(シリコン)研究用 [P(100)1−100Ω] ダイシング チップ 角基板 (全11商品)

  • 30mm×30mm Si(シリコン)研究用 [P(100)1−100Ω] ダイシング チップ 角基板
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30mm×30mm Si(シリコン)研究用 [P(100)1−100Ω] ダイシング チップ 角基板

メーカー品番:67−4935−85

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
¥45,903 〜 ¥1,083,225 (税込)
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¥99,429 (税込)

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¥116,050 (税込)

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¥165,704 (税込)

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¥220,935 (税込)

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TTV(μm)
≦25
ウェハー厚(μm)
300ー1000μm
サイズ(mm)
30×30
その他仕様
▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
その他仕様
▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
その他仕様
▼その他シリコンウェーハ、SICウェーハ、成膜ウェーハなど多種取り扱いを行っております。
低抵抗
≦0.0
抵抗値(Ω・cm)
1ー100
導電型
P型
面状態
ミラー・エッチド
面方位
100
単位
1箱
メーカー
アズワン
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